カセットPLCスプリッター

説明

 

説明

 

PLCスプリッターは、石英板の統合導波路に基づく光パワー分配デバイスです。 小型、幅広い動作波長、安定した信頼性、優れた均一性の機能により、PON、ODN、FTTX ポイントで終端装置と中央局を接続して信号スプリッターを実現するために広く使用されています。

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製品説明

 

 

PLC（光スプリッター）技術とその製造工程は？

 

PLCは、エレクトロニクス技術の分野でより広く知られています。略してプログラマブルロジックコントローラ（Programmable Logic Controller）です。 光通信技術の分野では、PLCはPlanar Lightwave Circuitの略で、さまざまな光導波路構造を用意する統合光技術に基づいており、技術的に実現できる機能デバイスは、方向性結合器DC、Y分岐器です。 、マルチモード干渉カプラMMI、アレイ導波路グレーティングAWG、光コムフィルタITL、マッハゼンデルMZ電気光学変調器、熱光学可変減衰器TO-VOA、熱光学スイッチTO-SWなど

 

光通信業界では、広く使用されている PLC デバイスには、光スプリッター、AWG、MZ 電気光学変調器、TO-VOA などがあります。その中で、光スプリッターは、Y 分岐直並列接続に基づく分割デバイスです。たとえば、1×16- ポートの光スプリッターには 15 個の Y 分岐が必要です。 AWG は 1×N ポートのデバイスで、数十の入力波長を異なる出力ポートに分離できます。 ニオブ酸リチウム光導波路に基づく MZ 変調器は、最も主流の変調器ソリューションですが、シリコン光変調器技術は成熟しており、50G を超える高速変調器に適したソリューションになっています。 PLC ベースの TO-VOA と AWG の組み合わせは、チャネル等化機能を備えた波長分割マルチプレクサ/デマルチプレクサ VMUX モジュールを構成します。

 

広く使用されているPLC技術に基づくさまざまな光通信デバイスがありますが、業界では、PLCは通常、FTTHネットワークで最も使用される光パッシブデバイスである光スプリッターを指します。 2000 年のインターネット バブルの後、光通信業界は不況に陥りました。 2004 年頃、アプリケーション シナリオが出現する前に、日本はインフラストラクチャとして FTTH への投資をリードしました。 2008 年以降、中国の参入により、FTTH 建設は 2012 年頃にピークに達しました。FTTH は通常、パッシブ光ネットワーク PON を使用し、そのコアは PLC 光スプリッターであり、さまざまな商業ビルや住宅に広く敷設されています。 人生経験の中で、私たちに最も近いのは、初期のツイストペアケーブルから現在の光ファイバーパッチコードにアップグレードされたホームモデムの「キャット」テールが、ポートの PLC 光スプリッターからファイバーに導かれていることです。家庭は通常、100-200M ネットワーク速度をサポートできます。これは、ケーブルがサポートできるよりもはるかに高速です。これは、ケーブルがサポートできる 4M 伝送速度よりもはるかに高速です。

 

光スプリッター（PLC）の製造工程

 

光通信の分野では、PLCはPlanar Optical Circuitの略で、機能デバイスを実現するためにさまざまな光導波路構造を準備するための光技術の統合に基づいています。 光導波路の製造には、イオン交換、イオン注入、化学蒸着、火炎加水分解の 4 つの主要なプロセスがあります。

 

1) イオン交換

 

イオン交換プロセスの原理は、Aプラスイオンを含むガラス材料をBプラスイオンを含む溶液に浸すことで、イオンが高濃度領域から低濃度領域に拡散する性質を利用して、Bプラスイオンガラス中のAプラスイオンを交換するための溶液中。 Ａプラスイオンを含むガラス材料は、Ｂプラスイオンを含むガラス材料よりも屈折率が高いため、光導波路のコア層としてイオン交換が起こる領域で高い屈折率を得ることにより、所望の光導波路構造が得られる。 、光導波路のクラッド層としてイオン交換が起こらない領域。

 

イオン交換によって光導波路を作製する一般的なプロセス フローを図 1 に示します。

 

１）ガラス基板上にマスク層を蒸着またはスパッタリング法により被覆する。

 

2)フォトリソグラフィとエッチングプロセスにより、マスク層に導波路構造の窓を開ける。

 

３）イオン交換用の溶液中に、準備されたマスク層および開いた窓を有するガラス材料を浸漬する。

 

４）表面層に分布した交換イオンは、電場によってある深さまで駆動され、導波路構造を形成する。

 

実際のプロセスでは、イオン交換効果をより確実にするために、上記の 2 つのステップ 3-4 を同時に実行する必要がありますが、これは特定のプロセス設計によって異なります。

 

PLC（光スプリッター）技術と製造工程

 

図1. イオン交換による光導波路作製の流れ

 

イオン交換効率を向上させ、良好な光導波路特性を得るためには、互いに交換する2つのイオンを適切に選択し、ガラス組成を最適化し、溶液の濃度と温度を制御し、電界を適切に印加する必要があります。

 

2) イオン注入

 

イオン注入は、半導体業界の標準的な処理プロセスに属する材料表面改質技術です。 光導波路へのイオン注入は、イオンガスペダルを介してイオンを数万～数十万電子ボルトの高エネルギーに加速し、基板材料の表面に衝撃を与え、原子間の相互作用または屈折率を変化させ、光導波路構造を形成します。

 

光導波路を準備するための典型的なイオン注入プロセスを図 2 に示します。イオン注入マシンは、通常、イオン源、イオン抽出および前加速、磁気アナライザー、バック チャネル ガス ペダル、電子走査システム、イオン注入キャビティ、および真空で構成されます。システム。 イオン源の空洞では、ガス放電によってイオンが生成されます。 イオン抽出器の電極によってエクスポートされ、事前に加速されます。 磁気分析器は、イオンビームの品質を制御して、適切な方向のイオンビームを取得します。 バック チャネルによって加速されたイオン ビームは、電子偏向器の制御下でキャビティ内のサンプルに注入されます。

 

PLC (光スプリッター) 技術と製造プロセスの完全なリスト

 

図2. イオン注入による光導波路作製工程

 

イオン注入キャビティに配置された基板材料は、光導波路パターンに従ってマスク層を準備するために前処理する必要があります。 イオン注入後、アニーリング プロセスなどの後処理が必要であり、注入によって生成される損失に対する材料欠陥の影響を低減します。

 

3) 化学蒸着

 

化学蒸着 CVD プロセスも、半導体業界の標準的なプロセスです。 光導波路を作製するCVDプロセスの流れを図3に示します。シリコン基板（または石英基板）上に、屈折率を向上させるためにリンやボロンをドープしたコア層など、ドーピング層の異なる光導波路層を順次堆積していきます。ゲルマニウムをドープして屈折率を下げるクラッド層。 コア層を堆積した後、クラッド層を堆積する前に、光導波路パターンを定義するために、フォトリソグラフィプロセスによってマスク層を準備する必要があります。 各層が堆積された後、堆積された層の密度と均一性を高め、応力を軽減するために、アニーリングと硬化プロセスが必要です。

 

PLC（光スプリッター）技術と製造工程

 

図3 化学気相成長法による光導波路作製の流れ

 

(4)火炎加水分解法

 

FHD のプロセス フローは CVD のプロセス フローと似ていますが、違いは薄膜層を生成するためのプロセス条件にあります。 リン、ホウ素、ハロゲン化ゲルマニウムなどのさまざまなドーピング元素がガスバーナーに入り、高温の炎で水と化学的に反応して、さまざまな不純物元素がドープされた二酸化ケイ素の薄膜層を生成します。

 

5) プロセス比較

 

イオン交換およびイオン注入プロセスは、低コストの光導波路を準備できますが、導波路の断面形状の制御はわずかに悪く、主に光スプリッターを作成するために使用され、イオン注入プロセスはイオン交換よりもはるかに効率的です。 FHD は、厚膜の作製には CVD よりも有利です。

 

特徴

 

1) 低挿入損失

2) 低PDL
3) コンパクト設計
4) チャンネル間の均一性が良い
5) 広い動作波長: 1260nm から 1650nm まで
6) 広い動作温度: -40 度から 85 度まで
7) 高い信頼性と安定性

 

アプリケーション

 

1) FTTX システム

2) PON ネットワーク
3) CATVリンク
4) 光信号分配

 

コンプライアンス

 

1) テルコーディアGR-1209-コア-2001

2) テルコーディアGR-1221-コア-1999
3) RoHS

パラメーター	1×2	1x4	1x8	1x16	1x32	1x64	1x128
動作波長(nm)	1260-1650
挿入損失（dB）（P/Sレード）	3.8/4.0	7.1/7.3	10.2/10.5	13.5/13.7	16.5/ 16.9	20.5/ 21.0	24.2/ 24.5
損失均一性(dB)	0.4	0.6	0.8	1.2	1.5	2.0	2.5
リターンロス (dB)（P/Sグレード）	55/50
偏波依存損失(dB)	0.2	0.2	0.2	0.25	0.3	0.35	0.5
指向性 (dB)	55
波長依存損失(dB)	0.3	0.3	0.3	0.5	0.5	0.5	0.5
温度安定度(-40-8度)(dB)	0.4	0.4	0.4	0.5	0.5	0.5	0.5
動作温度(度)	-40-85
保管温度(度)	-40-85
モジュール寸法（mm）（L×W×H）	100×80×10			120×80×18		140×115×18

	ミニパッケージ光ファイバーPLCスプリッター G652D シングルモード ファイバー、0.9mm 径
	ミニパッケージ光ファイバーPLCスプリッター 1x2、1x4、~1x128チャンネルのミニタイプPLCスプリッターを提供可能
	ミニパッケージ光ファイバーPLCスプリッター SC/PC、SC/APC、FC、ST、LCコネクタを提供可能
	ベア光ファイバー PLC スプリッター コネクタなしの PLC スプリッター、光ファイバー ケーブルで接続
	19インチラック型PLCスプリッター 1U ラックは 1x2~1x32 PLC スプリッターを取り付けることができます
	19インチラック型PLCスプリッター 2U ラックには 1x64 PLC スプリッターを取り付けることができます

 

関連製品

 

	1x2 FBT 光ファイバースプリッター 分割比: 1:99、2:98、3:97~45:55、 46:54, 47:53, 48:52, 49:51, 50:50
	ミニ FBT 光ファイバースプリッター パッケージサイズ：3×55mm
	1x3 FBT 光ファイバースプリッター 分割比:33.33:33.33:33.33 20:40:40, 10:10:80, 30:30:40

 

パッケージ図 (mm)

 

1) 120×80×18mm

 

Ø OEM サービスは大量に利用でき、バッグにロゴを印刷できます

パッケージと配送

認証

 

 

よくある質問

 

Q1. OEM サービスを提供し、当社のロゴを使用できますか?

A: はい。 ODMおよびOEMサービスを提供し、すべての製品のロゴをカスタマイズできます。

 

Q2. plcスプリッターの用途は何ですか?
A: IT は、政府のプロジェクトや通信プロジェクトで広く使用されています。

 

Q3. MOQは何ですか:
を: 100 個。 サンプル注文の場合、MOQ はありません。

 

Q4: 納期について教えてください。
A: 7 日以内の少量注文、約 25-30 日以内の乱雑な注文。

 

Q6: 保証はどうですか?
A: 3 年の保証時間。

 

Q7: アフターサービスのスケジュールは？?

A: Frist は、それが私たちの品質の問題であることを承認する必要があります。次の注文から悪いものを交換するか、返金します。

 

Q8: あなたの工場の生産能力は何ですか。

A: 私達の工場の生産能力は約です: 1 日あたりの 40000pc のコネクター。 その点に注意してください。

 

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